Qué es el MOCVD
El MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) es una técnica utilizada en la industria de la iluminación para depositar películas finas de materiales sobre un sustrato. Este proceso implica el uso de precursores orgánicos metálicos, que se calientan dentro de una cámara de reactor para producir un vapor. El vapor resultante reacciona entonces con un sustrato semiconductor, dando lugar a la formación de una película fina. El MOCVD se realiza en condiciones cuidadosamente controladas, que incluyen un control preciso de la temperatura, la presión y el caudal de gas.
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- Ocupación (Auto-ON/Auto-OFF)
- 12–24V DC (10–30VDC), hasta 10A
- Cobertura de 360°, diámetro de 8–12 m
- Retraso de tiempo 15 s–30 min
- Sensor de luz Apagado/15/25/35 Lux
- Alta/Baja sensibilidad
- Auto-ON/Auto-OFF modo de ocupación
- 100–265V AC, 10A (neutro requerido)
- Cobertura de 360°; diámetro de detección de 8–12 m
- Retraso de tiempo 15 s–30 min; Lux OFF/15/25/35; Sensibilidad Alta/Baja
- Auto-ON/Auto-OFF modo de ocupación
- 100–265V AC, 5A (neutro requerido)
- Cobertura de 360°; diámetro de detección de 8–12 m
- Retraso de tiempo 15 s–30 min; Lux OFF/15/25/35; Sensibilidad Alta/Baja
- 100V-230VAC
- Distancia de transmisión: hasta 20 m
- Sensor de movimiento inalámbrico
- Control cableado
- Voltaje: 2 baterías AAA / 5V DC (Micro USB)
- Modo Día/Noche
- Retardo de tiempo: 15min, 30min, 1h (predeterminado), 2h
- Adaptador de corriente con enchufe EU
- Adaptador de corriente con enchufe del Reino Unido
- Adaptador de corriente con enchufe de EE. UU.
- 5V DC
- Distancia de transmisión: hasta 30 m
- Modo Día/Noche
- 5V DC
- Distancia de transmisión: hasta 30 m
- Modo Día/Noche
- Voltaje: 2 x AAA
- Distancia de transmisión: 30 m
- Retraso de tiempo: 5s, 1m, 5m, 10m, 30m
- Corriente de Carga: Máx. 10A
- Modo Automático/Dormir
- Retraso de tiempo: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Corriente de Carga: Máx. 10A
- Modo Automático/Dormir
- Retraso de tiempo: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Corriente de Carga: Máx. 10A
- Modo Automático/Dormir
- Retraso de tiempo: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Corriente de Carga: Máx. 10A
- Modo Automático/Dormir
- Retraso de tiempo: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Corriente de Carga: Máx. 10A
- Modo Automático/Dormir
- Retraso de tiempo: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Corriente de Carga: Máx. 10A
- Modo Automático/Dormir
- Retraso de tiempo: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Modo Ocupación
- 100V ~ 265V, 5A
- Necesario cable neutro
- 1600 pies cuadrados
- Voltaje: DC 12v/24v
- Modo: Auto/ON/OFF
- Retardo de tiempo: 15s~900s
- Atenuación: 20%~100%
- Modo Ocupación, Vacante, ON/OFF
- 100~265V, 5A
- Necesario cable neutro
- Se adapta a la caja cuadrada del Reino Unido
Preguntas frecuentes
Cómo funciona el MOCVD
En el proceso MOCVD, una oblea calentada se expone a una corriente de gas que contiene "precursores" como el trimetilgalio y el amoníaco (TMGa, NH3). Estos precursores se descomponen al calentarse, normalmente a temperaturas que oscilan entre 400°C y 1300°C en función del material que se vaya a depositar.
¿Cuál es la diferencia entre CVD y MOCVD?
El depósito químico orgánico en fase vapor de metales (MOCVD) es una versión modificada del depósito químico en fase vapor (CVD) [22,23]. Se utiliza para producir películas delgadas semiconductoras cristalinas de alta pureza y micro/nano estructuras.
¿Cuál es la diferencia entre MOCVD y MOVPE?
El MOCVD, también denominado MOVPE u OMVPE, es un método ampliamente utilizado para el crecimiento de materiales semiconductores del grupo III-V sobre un sustrato de silicio.
Ventajas del MOCVD
Además de su capacidad para lograr una fabricación de alta precisión, el MOCVD ofrece la ventaja de depositar películas finas en grandes volúmenes. Esta capacidad de producción a gran escala es más precisa en comparación con otros métodos. Además, el MOCVD es un proceso flexible, por lo que resulta más económico que otros procesos alternativos.
¿Cuánto cuesta el MOCVD?
Muchas empresas conceden subvenciones que oscilan entre 8 y 10 millones de yuanes (aproximadamente $1,2 y $1,5 millones) para la compra de reactores MOCVD. Estos reactores, que pertenecen a la última generación de sistemas de alta capacidad, suelen costar alrededor de $2,5 millones cada uno.
Quién inventó el MOCVD
Inventado en la empresa Rockwell International por Harold Manasevit, el MOCVD estaba listo para seguir explorando y avanzando cuando Russell Dupuis entró a formar parte de la empresa en 1975.
Qué es un borboteador en MOCVD
Un burbujeador en MOCVD se refiere a un cilindro que forma parte integral del sistema de deposición química orgánica en fase vapor de metales (MOCVD). Estos dispositivos están diseñados específicamente para transportar compuestos metalorgánicos de grado electrónico desde un precursor líquido o sólido a una forma de vapor que pueda utilizarse en el proceso.
¿Cuál es la tasa de crecimiento del MOCVD?
Las velocidades típicas de crecimiento de películas de GaN por deposición química en fase vapor metalorgánica (MOCVD) con altas movilidades oscilan entre 2 y 3 μm por hora.
Ventajas del MOCVD sobre el MBE
La MBE es conocida por su gran precisión, pero tiene un precio elevado y requiere un vacío muy alto. Por otro lado, el MOCVD es una opción más rentable que funciona bajo presión. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el MOCVD puede no ofrecer el mismo nivel de precisión que el MBE. En última instancia, la elección entre ambas técnicas debe basarse en los requisitos específicos de la aplicación y el nivel de control deseado sobre las capas recubiertas.
