Che cos'è il MOCVD

Nel processo MOCVD, un wafer riscaldato viene esposto a un flusso di gas contenente "precursori" come trimetilgallio e ammoniaca (TMGa, NH3). Questi precursori si decompongono quando vengono riscaldati, in genere a temperature comprese tra 400°C e 1300°C, a seconda del materiale da depositare.

La Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) è una versione modificata della deposizione chimica da vapore (CVD) [22,23]. Viene utilizzata per produrre film sottili semiconduttori cristallini di elevata purezza e micro/nano strutture.

Il MOCVD, chiamato anche MOVPE o OMVPE, è un metodo ampiamente utilizzato per la crescita di materiali semiconduttori del gruppo III-V su un substrato di silicio.

Oltre alla capacità di ottenere una produzione di alta precisione, il MOCVD offre il vantaggio di depositare film sottili in volumi elevati. Questa capacità di produzione su larga scala è più accurata rispetto ad altri metodi. Inoltre, il MOCVD è un processo flessibile, che lo rende una scelta più economica rispetto ad altri processi.

Molte aziende forniscono sovvenzioni che vanno dagli 8 ai 10 milioni di yuan (circa $1,2-$1,5 milioni) per l'acquisto di reattori MOCVD. Questi reattori, che appartengono all'ultima generazione di sistemi ad alta capacità, costano in genere circa $2,5 milioni ciascuno.

Inventata da Harold Manasevit presso la Rockwell International, la MOCVD era pronta per essere esplorata e migliorata quando Russell Dupuis entrò a far parte dell'azienda nel 1975.

Un gorgogliatore in MOCVD si riferisce a un cilindro che è parte integrante del sistema di deposizione di vapore chimico di metalli organici (MOCVD). Questi dispositivi sono progettati specificamente per trasportare i composti metalorganici di grado elettronico da un precursore liquido o solido a una forma di vapore che può essere utilizzata nel processo.

I tassi di crescita tipici dei film di GaN per deposizione di vapore chimico metalorganico (MOCVD) con elevata mobilità variano da 2 a 3 μm all'ora.

L'MBE è noto per la sua elevata precisione, ma ha un prezzo elevato e richiede un vuoto altissimo. D'altro canto, la MOCVD è un'opzione più economica che opera sotto pressione. Tuttavia, è importante notare che la MOCVD potrebbe non offrire lo stesso livello di precisione della MBE. In definitiva, la scelta tra le due tecniche deve basarsi sui requisiti specifici dell'applicazione e sul livello di controllo desiderato sugli strati rivestiti.