MOCVD nedir
MOCVD veya Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme, aydınlatma endüstrisinde bir alt tabaka üzerine ince malzeme filmleri biriktirmek için kullanılan bir tekniktir. Bu işlem, bir buhar üretmek için bir reaktör odası içinde ısıtılan metal organik öncüllerin kullanılmasını içerir. Ortaya çıkan buhar daha sonra yarı iletken bir alt tabaka ile reaksiyona girerek ince bir film oluşumuna yol açar. MOCVD, sıcaklık, basınç ve gaz akış hızları üzerinde hassas kontrol dahil olmak üzere dikkatle kontrol edilen koşullar altında gerçekleştirilir.
Belki İlginizi Çeker
- Kuru kontak röle çıkışlı, tavana monte PIR varlık sensörü
- 12/24VDC veya 12/24VAC alçak gerilim beslemesi
- EMS, HVAC ve bina otomasyonu girişleri için COM, NO ve NC izole röle kontakları
- Alçak gerilim DC gömme tavana monte mikrodalga hareket sensörü anahtarı
- 10-30 VDC aralığında 12 VDC / 24 VDC giriş
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyete sahip 10A maksimum çalışma akımı
- Yüksek yük kapasiteli gömme tavana monte mikrodalga hareket sensörü anahtarı
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 10A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyete sahip 5.8 GHz mikrodalga algılama
- Gömme tavana monte mikrodalga hareket sensörü anahtarı
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 5A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyete sahip 5.8 GHz mikrodalga algılama
- 220V güç için tavana monte RZ037 PIR varlık sensörü dimmer
- 660W nominal yüke sahip 3A maksimum çalışma akımı
- LUX düğmesi, ışık sensörü AÇIK/KAPALI durumunu ve kullanıcı tanımlı kısma parlaklığını kontrol eder
- 110V güç için tavana monte RZ037 PIR varlık sensörlü dimmer
- 330W nominal yük ile 3A maksimum çalışma akımı
- LUX düğmesi, ışık sensörü AÇIK/KAPALI durumunu ve kullanıcı tanımlı kısma parlaklığını kontrol eder
- Alçak gerilim DC tavana monte mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 10-30 VDC aralığında 12 VDC / 24 VDC giriş
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyete sahip 10A maksimum çalışma akımı
- Daha yüksek yük kapasiteli tavana monte mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 10A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyete sahip 5.8 GHz mikrodalga algılama
- Tavana monte mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 5A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyete sahip 5.8 GHz mikrodalga algılama
- Alçak gerilim DC gömme tavan montajlı PIR hareket sensörlü anahtar
- 10-30 VDC aralığında 12 VDC / 24 VDC giriş
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyete sahip 10A maksimum çalışma akımı
- Daha yüksek yük kapasiteli gömme tavan montajlı PIR hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 10A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyet özellikli 360 derece algılama
- Gömme tavan montajlı PIR hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 5A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lux eşiği ve hassasiyet özellikli 360 derece algılama
- İç mekan AÇMA/KAPAMA aydınlatma kontrolü için kablosuz anahtar ve alıcı kiti
- 5A nominal akımlı 100-230VAC, 50/60Hz alıcı
- CR2032-powered wireless switch with 2.4GHz communication
- Dolaşım (Oto-AÇ / Oto-KAPAT)
- 12–24V DC (10–30VDC), 10A'ya kadar
- 360° kapsama, 8–12 m çapında
- Zaman gecikmesi 15 sn–30 dk
- Işık sensörü Kapalı/15/25/35 Lux
- Yüksek/Düşük duyarlılık
- Otomatik AÇIK/Otomatik KAPALI doluluk modu
- 100–265V AC, 10A (nötrlemesi gerekir)
- 360° kapsama; 8–12 m tespit çapı
- Zaman gecikmesi 15 s–30 dk; Lux OFF/15/25/35; Hassasiyet Yüksek/Düşük
- Otomatik AÇIK/Otomatik KAPALI doluluk modu
- 100–265V AC, 5A (nötr gereklidir)
- 360° kapsama; 8–12 m tespit çapı
- Zaman gecikmesi 15 s–30 dk; Lux OFF/15/25/35; Hassasiyet Yüksek/Düşük
- 100V-230VAC
- İletişim Mesafesi: 20m'ye kadar
- Kablosuz hareket sensörü
- Kablolu kontrol
- Voltaj: 2x AAA Pil / 5V DC (Mikro USB)
- Gündüz/Gece Modu
- Zaman gecikmesi: 15 dakika, 30 dakika, 1 saat (varsayılan), 2 saat
- Birleşik Krallık fişli güç adaptörü
Sıkça Sorulan Sorular
MOCVD işleminde, ısıtılmış bir gofret trimetilgalyum ve amonyak (TMGa, NH3) gibi 'öncüler' içeren bir gaz akışına maruz bırakılır. Bu öncüller ısıtıldığında, biriktirilecek malzemeye bağlı olarak tipik olarak 400°C ila 1300°C arasında değişen sıcaklıklarda ayrışır.
CVD ve MOCVD Arasındaki Fark Nedir?
Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD), kimyasal buhar biriktirmenin (CVD) değiştirilmiş bir versiyonudur [22,23]. Yüksek saflıkta kristalin yarı iletken ince filmler ve mikro/nano yapılar üretmek için kullanılır.
MOCVD ve MOVPE Arasındaki Fark Nedir?
MOVPE veya OMVPE olarak da adlandırılan MOCVD, silikon bir alt tabaka üzerinde III-V grubu yarı iletken malzemeleri büyütmek için yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir.
MOCVD'nin Avantajları Nelerdir
MOCVD, yüksek hassasiyetli üretim kabiliyetine ek olarak, yüksek hacimlerde ince film biriktirme avantajı sunar. Bu büyük ölçekli üretim kabiliyeti, diğer yöntemlere kıyasla daha doğrudur. Ayrıca, MOCVD esnek bir süreçtir ve alternatif süreçlerle karşılaştırıldığında daha ekonomik bir seçimdir.
MOCVD'nin Maliyeti Ne Kadar?
Birçok şirket MOCVD reaktörlerinin satın alınması için 8-10 milyon yuan (yaklaşık $1.2 ila $1.5 milyon) arasında değişen sübvansiyonlar sağlamaktadır. En yeni nesil yüksek kapasiteli sistemlere ait olan bu reaktörlerin her biri tipik olarak yaklaşık $2.5 milyona mal olmaktadır.
Rockwell International şirketinde Harold Manasevit tarafından icat edilen MOCVD, Russell Dupuis 1975 yılında şirketin bir parçası olduğunda daha fazla keşif ve ilerleme için hazırdı.
MOCVD'deki bir fıskiye, metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) sisteminin ayrılmaz bir parçası olan bir silindiri ifade eder. Bu cihazlar, elektronik sınıf metalorganik bileşikleri sıvı veya katı bir öncüden proseste kullanılabilecek bir buhar formuna taşımak için özel olarak tasarlanmıştır.
MOCVD'nin Büyüme Hızı Nedir?
Yüksek mobiliteye sahip metalorganik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) GaN filmleri için tipik büyüme hızları saatte 2 ila 3 μm arasında değişmektedir.
MOCVD'nin MBE'ye Göre Avantajları Nelerdir
MBE yüksek hassasiyeti ile bilinir, ancak yüksek bir fiyat etiketi ile birlikte gelir ve ultra yüksek vakum gerektirir. Öte yandan, MOCVD basınç altında çalışan daha uygun maliyetli bir seçenektir. Bununla birlikte, MOCVD'nin MBE ile aynı düzeyde hassasiyet sunamayabileceğini unutmamak önemlidir. Sonuç olarak, iki teknik arasındaki seçim, uygulamanın özel gereksinimlerine ve kaplanmış katmanlar üzerinde istenen kontrol seviyesine dayanmalıdır.