Τι είναι το MOCVD
Η MOCVD, ή Metal Organic Chemical Vapor Deposition, είναι μια τεχνική που χρησιμοποιείται στη βιομηχανία φωτισμού για την εναπόθεση λεπτών υμενίων υλικών σε ένα υπόστρωμα. Η διαδικασία αυτή περιλαμβάνει τη χρήση μεταλλικών οργανικών πρόδρομων ουσιών, οι οποίες θερμαίνονται εντός ενός θαλάμου αντιδραστήρα για την παραγωγή ατμού. Ο ατμός που προκύπτει αντιδρά στη συνέχεια με ένα υπόστρωμα ημιαγωγού, οδηγώντας στο σχηματισμό ενός λεπτού υμενίου. Η MOCVD εκτελείται υπό προσεκτικά ελεγχόμενες συνθήκες, συμπεριλαμβανομένου του ακριβούς ελέγχου της θερμοκρασίας, της πίεσης και των ρυθμών ροής αερίου.
Ίσως ενδιαφέρεστε για
- Ceiling-mounted PIR occupancy sensor with dry-contact relay output
- 12/24VDC or 12/24VAC low-voltage supply
- COM, NO, and NC isolated relay contacts for EMS, HVAC, and building control inputs
- Low-voltage DC recessed ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 12 VDC / 24 VDC input with 10-30 VDC range
- 10A max work current with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Higher-load recessed ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 10A model
- 5.8 GHz microwave sensing with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Recessed ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 5A model
- 5.8 GHz microwave sensing with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Ceiling-mounted RZ037 PIR occupancy sensor dimmer for 220V power
- 3A maximum working current with 660W rated load
- LUX button controls light-sensor ON/OFF and user-set dimming brightness
- Ceiling-mounted RZ037 PIR occupancy sensor dimmer for 110V power
- 3A maximum working current with 330W rated load
- LUX button controls light-sensor ON/OFF and user-set dimming brightness
- Low-voltage DC ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 12 VDC / 24 VDC input with 10-30 VDC range
- 10A max work current with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Higher-load ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 10A model
- 5.8 GHz microwave sensing with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 5A model
- 5.8 GHz microwave sensing with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Low-voltage DC recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- 12 VDC / 24 VDC input with 10-30 VDC range
- Max work current 10A with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Higher-load recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 10A model
- 360-degree detection with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 5A model
- 360-degree detection with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Wireless switch and receiver kit for indoor ON/OFF lighting control
- 100-230VAC, 50/60Hz receiver with 5A rated current
- CR2032-powered wireless switch with 2.4GHz communication
- Χρησιμοποίηση (Auto-ΕΝΑ/Auto-ΑΠΕΝΕΡΓΟ)
- 12–24V DC (10–30VDC), έως 10A
- Κάλυψη 360°, διάμετρος 8–12 μ.
- Χρόνος καθυστέρησης 15 δ–30 λεπτά
- Αισθητήρας φωτός Απενεργοποίηση/15/25/35 Lux
- Υψηλή/Χαμηλή ευαισθησία
- Λειτουργία αυτόματης ενεργοποίησης/αυτόματης απενεργοποίησης κατάληψης
- 100–265V AC, 10A (απαιτείται ουδέτερο)
- Κάλυψη 360°; διάμετρος ανίχνευσης 8–12 μ
- Χρονική καθυστέρηση 15 s–30 min; Lux OFF/15/25/35; Ευαισθησία Υψηλή/Χαμηλή
- Λειτουργία αυτόματης ενεργοποίησης/αυτόματης απενεργοποίησης κατάληψης
- 100–265V AC, 5A (απαιτείται ουδέτερο)
- Κάλυψη 360°; διάμετρος ανίχνευσης 8–12 μ
- Χρονική καθυστέρηση 15 s–30 min; Lux OFF/15/25/35; Ευαισθησία Υψηλή/Χαμηλή
- 100V-230VAC
- Απόσταση μετάδοσης: έως 20m
- Ασύρματος αισθητήρας κίνησης
- Έλεγχος με καλωδίωση
- Τάση: 2x μπαταρίες AAA / 5V DC (Micro USB)
- Λειτουργία ημέρας/νύχτας
- Χρονική καθυστέρηση: (προεπιλογή), 2 ώρες
- Τροφοδοτικό με βύσμα ΕΕ
- Τροφοδοτικό με βύσμα Ηνωμένου Βασιλείου
Συχνές ερωτήσεις
Πώς λειτουργεί το MOCVD
Στη διαδικασία MOCVD, ένα θερμαινόμενο πλακίδιο εκτίθεται σε ρεύμα αερίου που περιέχει "πρόδρομες ουσίες" όπως τριμεθυλογάλλιο και αμμωνία (TMGa, NH3). Αυτές οι πρόδρομες ουσίες αποσυντίθενται όταν θερμαίνονται, συνήθως σε θερμοκρασίες που κυμαίνονται από 400°C έως 1300°C ανάλογα με το υλικό που πρόκειται να εναποτεθεί.
Ποια είναι η διαφορά μεταξύ CVD και MOCVD
Η χημική εναπόθεση ατμών μετάλλων (MOCVD) είναι μια τροποποιημένη εκδοχή της χημικής εναπόθεσης ατμών (CVD) [22,23]. Χρησιμοποιείται για την παραγωγή υψηλής καθαρότητας κρυσταλλικών ημιαγώγιμων λεπτών υμενίων και μικρο/νανοδομών.
Ποια είναι η διαφορά μεταξύ MOCVD και MOVPE
Η MOCVD, που αναφέρεται επίσης ως MOVPE ή OMVPE, είναι μια ευρέως χρησιμοποιούμενη μέθοδος για την ανάπτυξη υλικών ημιαγωγών της ομάδας III-V σε υπόστρωμα πυριτίου.
Ποια είναι τα πλεονεκτήματα της MOCVD
Εκτός από την ικανότητά της να επιτυγχάνει κατασκευή υψηλής ακρίβειας, η MOCVD προσφέρει το πλεονέκτημα της εναπόθεσης λεπτών υμενίων σε μεγάλες ποσότητες. Αυτή η δυνατότητα παραγωγής σε μεγάλη κλίμακα είναι πιο ακριβής σε σύγκριση με άλλες μεθόδους. Επιπλέον, η MOCVD είναι μια ευέλικτη διαδικασία, γεγονός που την καθιστά πιο οικονομική επιλογή σε σύγκριση με εναλλακτικές διαδικασίες.
Πόσο κοστίζει το MOCVD
Πολλές εταιρείες παρέχουν επιδοτήσεις που κυμαίνονται από 8-10 εκατομμύρια γιουάν (περίπου $1,2 έως $1,5 εκατομμύρια) για την αγορά αντιδραστήρων MOCVD. Αυτοί οι αντιδραστήρες, οι οποίοι ανήκουν στην τελευταία γενιά συστημάτων υψηλής χωρητικότητας, κοστίζουν συνήθως περίπου $2,5 εκατομμύρια το καθένα.
Ποιος εφηύρε το MOCVD
Εφευρέθηκε στην εταιρεία Rockwell International από τον Harold Manasevit, η MOCVD ήταν έτοιμη για περαιτέρω εξερεύνηση και εξέλιξη όταν ο Russell Dupuis έγινε μέλος της εταιρείας το 1975.
Τι είναι ο φυσαλιδωτής στην MOCVD
Η φυσαλίδα στην MOCVD αναφέρεται σε έναν κύλινδρο που αποτελεί αναπόσπαστο μέρος του συστήματος χημικής εναπόθεσης ατμών μετάλλων (MOCVD). Αυτές οι συσκευές είναι ειδικά σχεδιασμένες για να μεταφέρουν μεταλλοοργανικές ενώσεις ηλεκτρονικού βαθμού από μια υγρή ή στερεή πρόδρομη ουσία σε μορφή ατμού που μπορεί να χρησιμοποιηθεί στη διαδικασία.
Ποιος είναι ο ρυθμός ανάπτυξης της MOCVD
Τυπικοί ρυθμοί ανάπτυξης για υμένια GaN με υψηλή κινητικότητα από μεταλλοοργανική χημική εναπόθεση ατμών (MOCVD) κυμαίνονται από 2 έως 3 μm ανά ώρα.
Ποια είναι τα πλεονεκτήματα της MOCVD έναντι της MBE
Η MBE είναι γνωστή για την υψηλή ακρίβειά της, αλλά έχει υψηλή τιμή και απαιτεί εξαιρετικά υψηλό κενό. Από την άλλη πλευρά, η MOCVD είναι μια πιο οικονομική επιλογή που λειτουργεί υπό πίεση. Ωστόσο, είναι σημαντικό να σημειωθεί ότι η MOCVD μπορεί να μην προσφέρει το ίδιο επίπεδο ακρίβειας με την MBE. Τελικά, η επιλογή μεταξύ των δύο τεχνικών θα πρέπει να βασίζεται στις ειδικές απαιτήσεις της εφαρμογής και στο επιθυμητό επίπεδο ελέγχου των επιστρωμένων στρωμάτων.
