O que é MOCVD

No processo MOCVD, uma bolacha aquecida é exposta a um fluxo de gás que contém "precursores" como o trimetilgálio e o amoníaco (TMGa, NH3). Estes precursores decompõem-se quando aquecidos, normalmente a temperaturas que variam entre 400°C e 1300°C, dependendo do material a depositar.

A deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) é uma versão modificada da deposição de vapor químico (CVD) [22,23]. É utilizada para produzir películas finas semicondutoras cristalinas de elevada pureza e micro/nano estruturas.

A MOCVD, também designada por MOVPE ou OMVPE, é um método amplamente utilizado para o crescimento de materiais semicondutores do grupo III-V num substrato de silício.

Para além da sua capacidade de conseguir um fabrico de alta precisão, o MOCVD oferece a vantagem de depositar películas finas em grandes volumes. Esta capacidade de produção em grande escala é mais exacta em comparação com outros métodos. Além disso, o MOCVD é um processo flexível, o que o torna uma escolha mais económica quando comparado com processos alternativos.

Muitas empresas concedem subsídios que variam entre 8 e 10 milhões de yuans (aproximadamente $1,2 e $1,5 milhões) para a aquisição de reactores MOCVD. Estes reactores, que pertencem à última geração de sistemas de alta capacidade, custam normalmente cerca de $2,5 milhões cada.

Inventado na empresa Rockwell International por Harold Manasevit, o MOCVD estava pronto para ser mais explorado e avançado quando Russell Dupuis passou a fazer parte da empresa em 1975.

Um borbulhador em MOCVD refere-se a um cilindro que é parte integrante do sistema de deposição química de vapor de metal orgânico (MOCVD). Estes dispositivos são especificamente concebidos para transportar compostos metalorgânicos de grau eletrónico de um precursor líquido ou sólido para uma forma de vapor que pode ser utilizada no processo.

As taxas de crescimento típicas para películas de GaN por deposição de vapor químico metalorgânico (MOCVD) com mobilidades elevadas variam entre 2 e 3 μm por hora.

A MBE é conhecida pela sua elevada precisão, mas tem um preço elevado e requer um vácuo ultra-elevado. Por outro lado, o MOCVD é uma opção mais económica que funciona sob pressão. No entanto, é importante notar que a MOCVD pode não oferecer o mesmo nível de precisão que a MBE. Em última análise, a escolha entre as duas técnicas deve basear-se nos requisitos específicos da aplicação e no nível de controlo desejado sobre as camadas revestidas.