Что такое MOCVD
MOCVD, или металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы, - это метод, используемый в светотехнической промышленности для нанесения тонких пленок материалов на подложку. Этот процесс предполагает использование металлоорганических прекурсоров, которые нагреваются в реакторной камере для получения пара. Полученный пар вступает в реакцию с полупроводниковой подложкой, что приводит к образованию тонкой пленки. MOCVD выполняется в тщательно контролируемых условиях, включая точный контроль температуры, давления и скорости потока газа.
Возможно, вы заинтересованы в
- Ceiling-mounted PIR occupancy sensor with dry-contact relay output
- 12/24VDC or 12/24VAC low-voltage supply
- COM, NO, and NC isolated relay contacts for EMS, HVAC, and building control inputs
- Low-voltage DC recessed ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 12 VDC / 24 VDC input with 10-30 VDC range
- 10A max work current with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Higher-load recessed ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 10A model
- 5.8 GHz microwave sensing with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Recessed ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 5A model
- 5.8 GHz microwave sensing with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Ceiling-mounted RZ037 PIR occupancy sensor dimmer for 220V power
- 3A maximum working current with 660W rated load
- LUX button controls light-sensor ON/OFF and user-set dimming brightness
- Ceiling-mounted RZ037 PIR occupancy sensor dimmer for 110V power
- 3A maximum working current with 330W rated load
- LUX button controls light-sensor ON/OFF and user-set dimming brightness
- Low-voltage DC ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 12 VDC / 24 VDC input with 10-30 VDC range
- 10A max work current with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Higher-load ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 10A model
- 5.8 GHz microwave sensing with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 5A model
- 5.8 GHz microwave sensing with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Low-voltage DC recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- 12 VDC / 24 VDC input with 10-30 VDC range
- Max work current 10A with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Higher-load recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 10A model
- 360-degree detection with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- 100-265 VAC line-voltage input, 5A model
- 360-degree detection with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Wireless switch and receiver kit for indoor ON/OFF lighting control
- 100-230VAC, 50/60Hz receiver with 5A rated current
- CR2032-powered wireless switch with 2.4GHz communication
- Распознавание присутствия (Авто-ВКЛ/Авто-ВЫКЛ)
- 12–24V DC (10–30VDC), до 10A
- Покрытие 360°, диаметр 8–12 м
- Задержка времени 15 с–30 мин
- Датчик света Выкл/15/25/35 Люкс
- Высокая/Низкая чувствительность
- Режим автоматического включения/выключения при заполнении
- 100–265В перем. тока, 10А (необходим нейтральный провод)
- Область покрытия 360°; диаметр обнаружения 8–12 м
- Задержка времени 15 с–30 мин; Lux OFF/15/25/35; Чувствительность Высокая/Низкая
- Режим автоматического включения/выключения при заполнении
- 100–265В перем. тока, 5А (необходим нейтральный провод)
- Область покрытия 360°; диаметр обнаружения 8–12 м
- Задержка времени 15 с–30 мин; Lux OFF/15/25/35; Чувствительность Высокая/Низкая
- 100V-230VAC
- Дальность передачи: до 20 м
- Беспроводной датчик движения
- Проводной контроль
- Напряжение: 2x AAA Batteries / 5V DC (Micro USB)
- Режим день/ночь
- Задержка времени: 15 мин, 30 мин, 1 ч (по умолчанию), 2 ч
- Сетевой адаптер питания с вилкой европейского стандарта
- UK адаптер питания для розетки
Часто задаваемые вопросы
Как работает MOCVD
В процессе MOCVD нагретая пластина подвергается воздействию газового потока, содержащего "прекурсоры", такие как триметилгаллий и аммиак (TMGa, NH3). Эти прекурсоры разлагаются при нагревании, обычно при температурах от 400°C до 1300°C в зависимости от материала, который необходимо осадить.
В чем разница между CVD и MOCVD
Металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD) - это модифицированная версия химического осаждения из паровой фазы (CVD) [22,23]. Он используется для получения высокочистых кристаллических полупроводниковых тонких пленок и микро/наноструктур.
В чем разница между MOCVD и MOVPE
MOCVD, также называемый MOVPE или OMVPE, - это широко распространенный метод выращивания полупроводниковых материалов группы III-V на кремниевой подложке.
Каковы преимущества MOCVD
Помимо возможности достижения высокой точности производства, MOCVD дает преимущество осаждения тонких пленок в больших объемах. Такая возможность крупномасштабного производства обеспечивает более высокую точность по сравнению с другими методами. Кроме того, MOCVD является гибким процессом, что делает его более экономичным выбором по сравнению с другими процессами.
Сколько стоит MOCVD
Многие компании предоставляют субсидии в размере 8-10 миллионов юаней (примерно $1,2-$1,5 миллиона) на покупку MOCVD-реакторов. Эти реакторы, относящиеся к последнему поколению высокопроизводительных систем, обычно стоят около $2,5 млн каждый.
Кто изобрел MOCVD
Изобретенный в компании Rockwell International Гарольдом Манасевитом, MOCVD был готов к дальнейшим исследованиям и продвижению, когда в 1975 году частью компании стал Рассел Дюпюи.
Что такое барботер в MOCVD
Под барботером в MOCVD понимается цилиндр, являющийся неотъемлемой частью системы химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD). Эти устройства специально разработаны для переноса металлоорганических соединений электронного класса из жидкого или твердого прекурсора в парообразную форму, которая может быть использована в процессе.
Каковы темпы роста MOCVD
Типичная скорость роста металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) пленок GaN с высокой подвижностью составляет от 2 до 3 мкм в час.
В чем преимущества MOCVD перед MBE
Технология MBE известна своей высокой точностью, но она имеет высокую цену и требует сверхвысокого вакуума. С другой стороны, MOCVD - это более экономичный вариант, который работает под давлением. Однако важно отметить, что MOCVD не может обеспечить такой же уровень точности, как MBE. В конечном итоге выбор между этими двумя методами должен основываться на специфических требованиях приложения и желаемом уровне контроля над слоями покрытия.
