Ce este MOCVD

În procesul MOCVD, o plachetă încălzită este expusă la un flux de gaz care conține "precursori", cum ar fi trimetilgalliu și amoniac (TMGa, NH3). Acești precursori se descompun atunci când sunt încălziți, de obicei la temperaturi cuprinse între 400°C și 1300°C, în funcție de materialul care urmează să fie depus.

Depunerea chimică de vapori metal-organici (MOCVD) este o versiune modificată a depunerii chimice de vapori (CVD) [22,23]. Aceasta este utilizată pentru a produce filme subțiri semiconductoare cristaline de înaltă puritate și micro/nano-structuri.

MOCVD, denumită și MOVPE sau OMVPE, este o metodă utilizată pe scară largă pentru creșterea materialelor semiconductoare din grupa III-V pe un substrat de siliciu.

Pe lângă capacitatea sa de a realiza o fabricație de înaltă precizie, MOCVD oferă avantajul de a depune filme subțiri la volume mari. Această capacitate de producție la scară largă este mai precisă în comparație cu alte metode. În plus, MOCVD este un proces flexibil, ceea ce îl face o alegere mai economică în comparație cu procesele alternative.

Multe companii oferă subvenții cuprinse între 8-10 milioane de yuani (aproximativ $1,2 și $1,5 milioane de yuani) pentru achiziționarea de reactoare MOCVD. Aceste reactoare, care aparțin ultimei generații de sisteme de mare capacitate, costă de obicei în jur de $2,5 milioane de euro fiecare.

Inventat la compania Rockwell International de Harold Manasevit, MOCVD era pregătit pentru explorare și avansare atunci când Russell Dupuis a devenit parte a companiei în 1975.

Un barbotizor în MOCVD se referă la un cilindru care face parte integrantă din sistemul de depunere chimică în fază de vapori de metale organice (MOCVD). Aceste dispozitive sunt special concepute pentru a transporta compuși metalorganici de calitate electronică dintr-un precursor lichid sau solid într-o formă de vapori care poate fi utilizată în proces.

Ratele tipice de creștere pentru filmele GaN cu mobilități ridicate, obținute prin depunere chimică de vapori metalorganici (MOCVD), variază între 2 și 3 μm pe oră.

MBE este cunoscut pentru precizia sa ridicată, dar are un preț ridicat și necesită un vid ultra-înalt. Pe de altă parte, MOCVD este o opțiune mai rentabilă care funcționează sub presiune. Cu toate acestea, este important de reținut că MOCVD poate să nu ofere același nivel de precizie ca MBE. În cele din urmă, alegerea între cele două tehnici ar trebui să se bazeze pe cerințele specifice ale aplicației și pe nivelul dorit de control asupra straturilor acoperite.