Що таке MOCVD
MOCVD, або металоорганічне хімічне осадження з газової фази, - це технологія, що використовується у світлотехнічній промисловості для нанесення тонких плівок матеріалів на підкладку. Цей процес передбачає використання металоорганічних прекурсорів, які нагріваються в камері реактора до утворення пари. Утворена пара потім реагує з напівпровідниковою підкладкою, що призводить до утворення тонкої плівки. MOCVD виконується в ретельно контрольованих умовах, включаючи точний контроль над температурою, тиском і швидкістю потоку газу.
Можливо, вас зацікавить
- Стельовий ІЧ-датчик присутності з виходом реле сухих контактів
- Живлення низької напруги 12/24VDC або 12/24VAC
- Ізольовані контакти реле COM, NO та NC для входів систем управління будівлями, HVAC та EMS
- Низьковольтний врізний стельовий мікрохвильовий датчик руху
- Вхід 12 VDC / 24 VDC з діапазоном 10-30 VDC
- Максимальний робочий струм 10А з регульованою затримкою часу, порогом освітленості Lux та чутливістю
- Врізний стельовий мікрохвильовий датчик руху на більш високе навантаження
- Вхід мережевої напруги 100-265 VAC, модель на 10А
- Мікрохвильове виявлення 5,8 ГГц з регульованою затримкою часу, порогом освітленості Lux та чутливістю
- Врізний стельовий мікрохвильовий датчик руху
- Вхід мережевої напруги 100-265 VAC, модель на 5А
- Мікрохвильове виявлення 5,8 ГГц з регульованою затримкою часу, порогом освітленості Lux та чутливістю
- Стельовий ІЧ-димер датчика присутності RZ037 для живлення 220В
- Максимальний робочий струм 3А з номінальним навантаженням 660 Вт
- Кнопка LUX керує увімкненням/вимкненням датчика світла та встановленою користувачем яскравості димування
- Ceiling-mounted RZ037 PIR occupancy sensor dimmer for 110V power
- 3A maximum working current with 330W rated load
- Кнопка LUX керує увімкненням/вимкненням датчика світла та встановленою користувачем яскравості димування
- Low-voltage DC ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- Вхід 12 VDC / 24 VDC з діапазоном 10-30 VDC
- Максимальний робочий струм 10А з регульованою затримкою часу, порогом освітленості Lux та чутливістю
- Higher-load ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- Вхід мережевої напруги 100-265 VAC, модель на 10А
- Мікрохвильове виявлення 5,8 ГГц з регульованою затримкою часу, порогом освітленості Lux та чутливістю
- Ceiling-mounted microwave motion sensor switch
- Вхід мережевої напруги 100-265 VAC, модель на 5А
- Мікрохвильове виявлення 5,8 ГГц з регульованою затримкою часу, порогом освітленості Lux та чутливістю
- Low-voltage DC recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- Вхід 12 VDC / 24 VDC з діапазоном 10-30 VDC
- Max work current 10A with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Higher-load recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- Вхід мережевої напруги 100-265 VAC, модель на 10А
- 360-degree detection with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Recessed ceiling mount PIR motion sensor switch
- Вхід мережевої напруги 100-265 VAC, модель на 5А
- 360-degree detection with adjustable time delay, Lux threshold, and sensitivity
- Wireless switch and receiver kit for indoor ON/OFF lighting control
- 100-230VAC, 50/60Hz receiver with 5A rated current
- CR2032-powered wireless switch with 2.4GHz communication
- Рух (Авто-ВКЛ/Авто-ВИКЛ)
- 12–24V DC (10–30VDC), до 10A
- Охоплення 360°, діаметр 8–12 м
- Затримка часу 15 с–30 хв
- Датчик освітлення Вимкнено/15/25/35 Люкс
- Висока/Низька чутливість
- Автоматичне увімкнення/вимкнення режиму зайнятості
- 100–265VAC, 10A (необхідний нейтральний провід)
- Охоплення 360°; детекційний діаметр 8–12 м
- Затримка часу 15 с–30 хв; Люкс Вимкнено/15/25/35; Висока/Низька чутливість
- Автоматичне увімкнення/вимкнення режиму зайнятості
- 100–265V AC, 5A (необхідний нейтральний провід)
- Охоплення 360°; детекційний діаметр 8–12 м
- Затримка часу 15 с–30 хв; Люкс Вимкнено/15/25/35; Висока/Низька чутливість
- 100V-230ВAC
- Дальность передачі: до 20м
- Бездротовий датчик руху
- Провідний керування
- Напруга: 2x AAA батареї / 5V DC (Micro USB)
- Режим день/ніч
- Затримка в часі: 15хв, 30хв, 1год (за замовчуванням), 2год
- EU plug power adapter
- UK plug power adapter
Поширені запитання
Як працює MOCVD
У процесі MOCVD нагріту підкладку піддають впливу газового потоку, що містить "прекурсори", такі як триметилгалій та аміак (TMGa, NH3). Ці прекурсори розкладаються при нагріванні, як правило, при температурі від 400°C до 1300°C, залежно від матеріалу, що осаджується.
У чому різниця між CVD та MOCVD
Металоорганічне хімічне осадження з газової фази (MOCVD) є модифікованою версією хімічного осадження з газової фази (CVD) [22,23]. Він використовується для отримання високочистих кристалічних напівпровідникових тонких плівок і мікро/наноструктур.
У чому різниця між MOCVD та MOVPE
MOCVD, також відомий як MOVPE або OMVPE, є широко використовуваним методом вирощування напівпровідникових матеріалів III-V груп на кремнієвій підкладці.
Які переваги MOCVD
На додаток до здатності досягати високої точності виробництва, MOCVD пропонує перевагу осадження тонких плівок у великих обсягах. Таке великомасштабне виробництво є більш точним порівняно з іншими методами. Крім того, MOCVD є гнучким процесом, що робить його більш економічним вибором у порівнянні з альтернативними процесами.
Скільки коштує MOCVD
Багато компаній надають субсидії в розмірі 8-10 мільйонів юанів (приблизно $1,2-$1,5 мільйона) на придбання реакторів MOCVD. Ці реактори, які належать до останнього покоління високопродуктивних систем, зазвичай коштують близько $2,5 млн. юанів кожен.
Хто винайшов МОКВД
Винайдений у компанії Rockwell International Гарольдом Манасевітом, MOCVD був готовий до подальших досліджень і вдосконалення, коли Рассел Дюпюї став частиною компанії в 1975 році.
Що таке барботер в МОКВД
Барботером в MOCVD називається циліндр, який є невід'ємною частиною системи металоорганічного хімічного осадження з газової фази (MOCVD). Ці пристрої спеціально розроблені для транспортування металоорганічних сполук електронного класу з рідких або твердих прекурсорів у пароподібний стан, який може бути використаний у процесі.
Якими є темпи зростання MOCVD
Типові швидкості росту металоорганічних плівок GaN, отриманих методом хімічного осадження з газової фази (MOCVD), з високою рухливістю становлять від 2 до 3 мкм на годину.
Які переваги MOCVD над MBE
MBE відомий своєю високою точністю, але він має високу ціну і вимагає надвисокого вакууму. З іншого боку, MOCVD є більш економічно вигідним варіантом, який працює під тиском. Однак важливо зазначити, що MOCVD може не забезпечити такий же рівень точності, як MBE. Зрештою, вибір між цими двома методами повинен ґрунтуватися на конкретних вимогах застосування і бажаному рівні контролю над нанесеними шарами.
