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Che cos'è il MOCVD

Orazio He

Ultimo aggiornamento: 26 dicembre 2023

Che cos'è il MOCVD

La MOCVD, o Metal Organic Chemical Vapor Deposition, è una tecnica utilizzata nell'industria dell'illuminazione per depositare film sottili di materiali su un substrato. Il processo prevede l'uso di precursori organici metallici, che vengono riscaldati all'interno di un reattore per produrre un vapore. Il vapore così ottenuto reagisce con un substrato semiconduttore, portando alla formazione di un film sottile. La MOCVD viene eseguita in condizioni attentamente controllate, compreso il controllo preciso della temperatura, della pressione e della portata del gas.

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Immagine del prodotto sensore di movimento a microonde da soffitto a incasso RZ048
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Immagine del prodotto sensore di movimento a microonde da soffitto a incasso RZ048
  • Interruttore sensore di movimento a microonde da incasso a soffitto per carichi più elevati
  • Ingresso a tensione di rete 100-265 VAC, modello da 10A
  • Rilevamento a microonde a 5.8 GHz con ritardo temporale, soglia Lux e sensibilità regolabili
Immagine del prodotto sensore di movimento a microonde da soffitto a incasso RZ048
  • Interruttore sensore di movimento a microonde da incasso a soffitto
  • Ingresso a tensione di rete 100-265 VAC, modello da 5A
  • Rilevamento a microonde a 5.8 GHz con ritardo temporale, soglia Lux e sensibilità regolabili
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  • Corrente di lavoro massima di 3A con carico nominale di 660W
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  • Dimmer con sensore di presenza PIR da soffitto RZ037 per alimentazione a 110 V
  • Corrente di lavoro massima di 3 A con carico nominale di 330 W
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Interruttore con sensore di movimento a microonde da soffitto RZ047
  • Interruttore con sensore di movimento a microonde da soffitto a bassa tensione CC
  • Ingresso 12 VDC / 24 VDC con intervallo 10-30 VDC
  • Corrente di lavoro massima di 10A con ritardo temporale, soglia Lux e sensibilità regolabili
Interruttore con sensore di movimento a microonde da soffitto RZ047
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Interruttore con sensore di movimento a microonde da soffitto RZ047
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Sensore di movimento PIR da soffitto a incasso RZ038 vista dall'alto e laterale
  • Interruttore con sensore di movimento PIR da incasso a soffitto a bassa tensione CC
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  • Corrente massima di lavoro di 10 A con ritardo spegnimento, soglia Lux e sensibilità regolabili
Sensore di movimento PIR da soffitto a incasso RZ038 vista frontale
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  • Rilevamento a 360 gradi con ritardo spegnimento, soglia Lux e sensibilità regolabili
Sensore di movimento PIR da soffitto a incasso RZ038 vista frontale
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  • Ingresso a tensione di rete 100-265 VAC, modello da 5A
  • Rilevamento a 360 gradi con ritardo spegnimento, soglia Lux e sensibilità regolabili
Kit interruttore wireless e ricevitore RZ040
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  • Occupazione (Auto-ON/Auto-OFF)
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  • Copertura a 360°, diametro 8–12 m
  • Ritardo temporale 15 s–30 min
  • Sensore di luce Spento/15/25/35 Lux
  • Sensibilità Alta/Bassa
  • Modalità di occupazione Auto-ON/Auto-OFF
  • 100–265V CA, 10A (neutro richiesto)
  • Copertura di 360°; diametro di rilevamento 8–12 m
  • Ritardo temporale 15 s–30 min; Lux SPENTO/15/25/35; Sensibilità Alta/Bassa
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  • 100–265V AC, 5A (fase neutra richiesta)
  • Copertura di 360°; diametro di rilevamento 8–12 m
  • Ritardo temporale 15 s–30 min; Lux SPENTO/15/25/35; Sensibilità Alta/Bassa
  • 100V-230VAC
  • Distanza di trasmissione: fino a 20m
  • Sensore di movimento wireless
  • Controllo cablato
  • Voltaggio: 2 batterie AAA / 5 V CC (Micro USB)
  • Modalità giorno/notte
  • Ritardo: 15min, 30min, 1h (default), 2h

Domande frequenti

Come funziona la MOCVD

Nel processo MOCVD, un wafer riscaldato viene esposto a un flusso di gas contenente "precursori" come trimetilgallio e ammoniaca (TMGa, NH3). Questi precursori si decompongono quando vengono riscaldati, in genere a temperature comprese tra 400°C e 1300°C, a seconda del materiale da depositare.

Qual è la differenza tra CVD e MOCVD?

La Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) è una versione modificata della deposizione chimica da vapore (CVD) [22,23]. Viene utilizzata per produrre film sottili semiconduttori cristallini di elevata purezza e micro/nano strutture.

Qual è la differenza tra MOCVD e MOVPE?

Il MOCVD, chiamato anche MOVPE o OMVPE, è un metodo ampiamente utilizzato per la crescita di materiali semiconduttori del gruppo III-V su un substrato di silicio.

Quali sono i vantaggi della MOCVD

Oltre alla capacità di ottenere una produzione di alta precisione, il MOCVD offre il vantaggio di depositare film sottili in volumi elevati. Questa capacità di produzione su larga scala è più accurata rispetto ad altri metodi. Inoltre, il MOCVD è un processo flessibile, che lo rende una scelta più economica rispetto ad altri processi.

Quanto costa la MOCVD

Molte aziende forniscono sovvenzioni che vanno dagli 8 ai 10 milioni di yuan (circa $1,2-$1,5 milioni) per l'acquisto di reattori MOCVD. Questi reattori, che appartengono all'ultima generazione di sistemi ad alta capacità, costano in genere circa $2,5 milioni ciascuno.

Chi ha inventato la MOCVD

Inventata da Harold Manasevit presso la Rockwell International, la MOCVD era pronta per essere esplorata e migliorata quando Russell Dupuis entrò a far parte dell'azienda nel 1975.

Che cos'è un bubbler in MOCVD

Un gorgogliatore in MOCVD si riferisce a un cilindro che è parte integrante del sistema di deposizione di vapore chimico di metalli organici (MOCVD). Questi dispositivi sono progettati specificamente per trasportare i composti metalorganici di grado elettronico da un precursore liquido o solido a una forma di vapore che può essere utilizzata nel processo.

Qual è il tasso di crescita della MOCVD?

I tassi di crescita tipici dei film di GaN per deposizione di vapore chimico metalorganico (MOCVD) con elevata mobilità variano da 2 a 3 μm all'ora.

Quali sono i vantaggi della MOCVD rispetto alla MBE?

L'MBE è noto per la sua elevata precisione, ma ha un prezzo elevato e richiede un vuoto altissimo. D'altro canto, la MOCVD è un'opzione più economica che opera sotto pressione. Tuttavia, è importante notare che la MOCVD potrebbe non offrire lo stesso livello di precisione della MBE. In definitiva, la scelta tra le due tecniche deve basarsi sui requisiti specifici dell'applicazione e sul livello di controllo desiderato sugli strati rivestiti.

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