Hvad er MOCVD
MOCVD, eller Metal Organic Chemical Vapor Deposition, er en teknik, der anvendes i belysningsindustrien til at deponere tynde lag af materialer på et substrat. Denne proces involverer brugen af metalorganiske forstadier, som opvarmes i et reaktorkammer for at producere en damp. Den resulterende damp reagerer derefter med et halvledersubstrat, hvilket fører til dannelsen af en tynd film. MOCVD udføres under omhyggeligt kontrollerede forhold, herunder præcis kontrol over temperatur, tryk og gasstrømningshastigheder.
Måske er du interesseret i
- Spænding: 2x AAA Batterier / 5V DC (Micro USB)
- Dag/Nat Tilstand
- Tidsforsinkelse: 15min, 30min, 1h(standard), 2h
- EU-stik strømadapter
- UK-stik strømadapter
- US-stik strømadapter
- Spænding: 2 x AAA-batterier ELLER 5V DC
- Transmissionsafstand: op til 30 m
- Dag/nat-tilstand
- Spænding: 2 x AAA-batterier ELLER 5V DC
- Transmissionsafstand: op til 30 m
- Dag/nat-tilstand
- Spænding: 2 x AAA
- Transmissionsafstand: 30 m
- Tidsforsinkelse: 5s, 1m, 5m, 10m, 30m
- Belastningsstrøm: 10A Max
- Auto/Sleep-tilstand
- Tidsforsinkelse: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Belastningsstrøm: 10A Max
- Auto/Sleep-tilstand
- Tidsforsinkelse: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Belastningsstrøm: 10A Max
- Auto/Sleep-tilstand
- Tidsforsinkelse: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Belastningsstrøm: 10A Max
- Auto/Sleep-tilstand
- Tidsforsinkelse: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Belastningsstrøm: 10A Max
- Auto/Sleep-tilstand
- Tidsforsinkelse: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Belastningsstrøm: 10A Max
- Auto/Sleep-tilstand
- Tidsforsinkelse: 90s, 5min, 10min, 30min, 60min
- Tilstedeværelsestilstand
- 100V ~ 265V, 5A
- Neutral ledning påkrævet
- 1600 sq ft
- Spænding: DC 12v/24v
- Tilstand: Auto/ON/OFF
- Tidsforsinkelse: 15s~900s
- Dæmpning: 20%~100%
- Tilstedeværelse, Fravær, ON/OFF tilstand
- 100~265V, 5A
- Neutral ledning påkrævet
- Passer til UK firkantet bagdåse
- Spænding: DC 12V
- Længde: 2.5M/6M
- Farvetemperatur: Varm/Kold Hvid
- Spænding: DC 12V
- Længde: 2.5M/6M
- Farvetemperatur: Varm/Kold Hvid
- Spænding: DC 12V
- Længde: 2.5M/6M
- Farvetemperatur: Varm/Kold Hvid
- Spænding: DC 12V
- Længde: 2.5M/6M
- Farvetemperatur: Varm/Kold Hvid
Ofte Stillede Spørgsmål
Hvordan fungerer MOCVD
I MOCVD-processen udsættes en opvarmet wafer for en gasstrøm, der indeholder 'forstadier' såsom trimethylgallium og ammoniak (TMGa, NH3). Disse forstadier nedbrydes, når de opvarmes, typisk ved temperaturer fra 400 °C til 1300 °C afhængigt af det materiale, der skal deponeres.
Hvad er forskellen mellem CVD og MOCVD
Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) er en modificeret version af chemical vapor deposition (CVD) [22,23]. Det bruges til at producere krystallinske halvleder tyndfilm og mikro-/nanostrukturer med høj renhed.
Hvad er forskellen mellem MOCVD og MOVPE
MOCVD, også omtalt som MOVPE eller OMVPE, er en udbredt metode til at dyrke III-V gruppe halvledermaterialer på et siliciumsubstrat.
Hvad er fordelene ved MOCVD
Ud over sin evne til at opnå højpræcisionsfremstilling giver MOCVD den fordel, at den kan deponere tynde film i store mængder. Denne store produktionskapacitet er mere nøjagtig sammenlignet med andre metoder. Desuden er MOCVD en fleksibel proces, hvilket gør det til et mere økonomisk valg sammenlignet med alternative processer.
Hvor meget koster MOCVD
Mange virksomheder yder tilskud på mellem 8-10 millioner yuan (ca. $1.2 til $1.5 millioner) til køb af MOCVD-reaktorer. Disse reaktorer, som hører til den nyeste generation af systemer med høj kapacitet, koster typisk omkring $2.5 millioner hver.
Hvem opfandt MOCVD
MOCVD, der blev opfundet hos Rockwell International af Harold Manasevit, var klar til yderligere udforskning og fremskridt, da Russell Dupuis blev en del af virksomheden i 1975.
Hvad er en bubbler i MOCVD
En bubbler i MOCVD refererer til en cylinder, der er en integreret del af metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)-systemet. Disse enheder er specielt designet til at transportere elektroniske metalorganiske forbindelser fra en flydende eller fast forstadie til en dampform, der kan bruges i processen.
Hvad er vækstraten for MOCVD
Typiske vækstrater for metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) GaN-film med høj mobilitet varierer fra 2 til 3 μm i timen.
Hvad er fordelene ved MOCVD i forhold til MBE
MBE er kendt for sin høje præcision, men den har en høj pris og kræver et ultrahøjt vakuum. På den anden side er MOCVD en mere omkostningseffektiv mulighed, der fungerer under tryk. Det er dog vigtigt at bemærke, at MOCVD muligvis ikke tilbyder det samme niveau af præcision som MBE. I sidste ende bør valget mellem de to teknikker baseres på de specifikke krav til applikationen og det ønskede niveau af kontrol over de coatede lag.
