MOCVD क्या है

MOCVD प्रक्रिया में, एक गर्म वेफर को गैस स्ट्रीम के संपर्क में लाया जाता है जिसमें ट्राइमिथाइल गैलियम और अमोनिया (TMGa, NH3) जैसे 'पूर्ववर्ती' होते हैं। ये पूर्ववर्ती गर्म होने पर विघटित हो जाते हैं, आमतौर पर 400°C से 1300°C तक के तापमान पर, जो जमा की जाने वाली सामग्री पर निर्भर करता है।

धातु कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) रासायनिक वाष्प जमाव (CVD) का एक संशोधित संस्करण है [22,23]। इसका उपयोग उच्च शुद्धता वाले क्रिस्टलीय अर्धचालक पतली फिल्मों और माइक्रो/नैनो संरचनाओं के उत्पादन के लिए किया जाता है।

MOCVD, जिसे MOVPE या OMVPE भी कहा जाता है, सिलिकॉन सब्सट्रेट पर III-V समूह अर्धचालक सामग्री को उगाने के लिए व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली विधि है।

उच्च-सटीक विनिर्माण प्राप्त करने की क्षमता के अलावा, MOCVD उच्च मात्रा में पतली फिल्मों को जमा करने का लाभ प्रदान करता है। यह बड़े पैमाने पर उत्पादन क्षमता अन्य विधियों की तुलना में अधिक सटीक है। इसके अलावा, MOCVD एक लचीली प्रक्रिया है, जो इसे वैकल्पिक प्रक्रियाओं की तुलना में अधिक किफायती विकल्प बनाती है।

कई कंपनियां MOCVD रिएक्टरों की खरीद के लिए 8-10 मिलियन युआन (लगभग $1.2 से $1.5 मिलियन) तक की सब्सिडी प्रदान करती हैं। ये रिएक्टर, जो उच्च क्षमता वाले सिस्टम की नवीनतम पीढ़ी से संबंधित हैं, की लागत आमतौर पर लगभग $2.5 मिलियन प्रत्येक होती है।

हेरोल्ड मनासेविट द्वारा रॉकवेल इंटरनेशनल कंपनी में आविष्कार किया गया, MOCVD आगे की खोज और उन्नति के लिए तैयार था जब रसेल डुपूइस 1975 में कंपनी का हिस्सा बने।

MOCVD में एक बबलर एक सिलेंडर को संदर्भित करता है जो धातु कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) प्रणाली का एक अभिन्न अंग है। इन उपकरणों को विशेष रूप से इलेक्ट्रॉनिक ग्रेड मेटलऑर्गेनिक यौगिकों को तरल या ठोस पूर्ववर्ती से वाष्प रूप में परिवहन करने के लिए डिज़ाइन किया गया है जिसका उपयोग प्रक्रिया में किया जा सकता है।

उच्च गतिशीलता वाली धातु कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (MOCVD) GaN फिल्मों के लिए विशिष्ट विकास दर 2 से 3 μm प्रति घंटा है।

MBE अपनी उच्च परिशुद्धता के लिए जाना जाता है, लेकिन यह एक भारी कीमत के साथ आता है और इसके लिए एक अल्ट्रा-उच्च वैक्यूम की आवश्यकता होती है। दूसरी ओर, MOCVD एक अधिक लागत प्रभावी विकल्प है जो दबाव में काम करता है। हालांकि, यह ध्यान रखना महत्वपूर्ण है कि MOCVD MBE के समान स्तर की परिशुद्धता प्रदान नहीं कर सकता है। अंततः, दो तकनीकों के बीच चुनाव आवेदन की विशिष्ट आवश्यकताओं और लेपित परतों पर नियंत्रण के वांछित स्तर पर आधारित होना चाहिए।