Що таке MOCVD

У процесі MOCVD нагріту підкладку піддають впливу газового потоку, що містить "прекурсори", такі як триметилгалій та аміак (TMGa, NH3). Ці прекурсори розкладаються при нагріванні, як правило, при температурі від 400°C до 1300°C, залежно від матеріалу, що осаджується.

Металоорганічне хімічне осадження з газової фази (MOCVD) є модифікованою версією хімічного осадження з газової фази (CVD) [22,23]. Він використовується для отримання високочистих кристалічних напівпровідникових тонких плівок і мікро/наноструктур.

MOCVD, також відомий як MOVPE або OMVPE, є широко використовуваним методом вирощування напівпровідникових матеріалів III-V груп на кремнієвій підкладці.

На додаток до здатності досягати високої точності виробництва, MOCVD пропонує перевагу осадження тонких плівок у великих обсягах. Таке великомасштабне виробництво є більш точним порівняно з іншими методами. Крім того, MOCVD є гнучким процесом, що робить його більш економічним вибором у порівнянні з альтернативними процесами.

Багато компаній надають субсидії в розмірі 8-10 мільйонів юанів (приблизно $1,2-$1,5 мільйона) на придбання реакторів MOCVD. Ці реактори, які належать до останнього покоління високопродуктивних систем, зазвичай коштують близько $2,5 млн. юанів кожен.

Винайдений у компанії Rockwell International Гарольдом Манасевітом, MOCVD був готовий до подальших досліджень і вдосконалення, коли Рассел Дюпюї став частиною компанії в 1975 році.

Барботером в MOCVD називається циліндр, який є невід'ємною частиною системи металоорганічного хімічного осадження з газової фази (MOCVD). Ці пристрої спеціально розроблені для транспортування металоорганічних сполук електронного класу з рідких або твердих прекурсорів у пароподібний стан, який може бути використаний у процесі.

Типові швидкості росту металоорганічних плівок GaN, отриманих методом хімічного осадження з газової фази (MOCVD), з високою рухливістю становлять від 2 до 3 мкм на годину.

MBE відомий своєю високою точністю, але він має високу ціну і вимагає надвисокого вакууму. З іншого боку, MOCVD є більш економічно вигідним варіантом, який працює під тиском. Однак важливо зазначити, що MOCVD може не забезпечити такий же рівень точності, як MBE. Зрештою, вибір між цими двома методами повинен ґрунтуватися на конкретних вимогах застосування і бажаному рівні контролю над нанесеними шарами.