MOCVD란?

MOCVD 공정에서 가열된 웨이퍼는 트리메틸갈륨 및 암모니아(TMGa, NH3)와 같은 '전구체'가 포함된 가스 스트림에 노출됩니다. 이러한 전구체는 증착할 재료에 따라 일반적으로 400°C~1300°C 범위의 온도에서 가열하면 분해됩니다.

금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)은 화학 기상 증착(CVD)의 변형된 버전입니다[22,23]. 고순도 결정질 반도체 박막과 마이크로/나노 구조물을 생산하는 데 사용됩니다.

MOVPE 또는 OMVPE라고도 하는 MOCVD는 실리콘 기판에서 III-V 그룹 반도체 재료를 성장시키는 데 널리 사용되는 방법입니다.

고정밀 제조가 가능하다는 점 외에도 MOCVD는 박막을 대량으로 증착할 수 있다는 장점이 있습니다. 이러한 대규모 생산 능력은 다른 방식에 비해 더 정확합니다. 또한 MOCVD는 유연한 공정이기 때문에 다른 공정에 비해 경제적인 선택이 될 수 있습니다.

많은 기업이 MOCVD 리액터 구매 시 800만~1,000만 위안(약 120만~150만 원)의 보조금을 제공합니다. 최신 대용량 시스템에 속하는 이 리액터는 일반적으로 각각 약 $250만 원입니다.

해롤드 마나세빗이 록웰 인터내셔널에서 발명한 MOCVD는 1975년 러셀 듀푸이가 록웰 인터내셔널의 일원이 되면서 더 많은 탐구와 발전을 위한 준비를 마쳤습니다.

버블러는 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 시스템의 필수적인 부분인 실린더를 말합니다. 이 장치는 전자 등급 금속 유기 화합물을 액체 또는 고체 전구체에서 공정에 활용할 수 있는 증기 형태로 운반하도록 특별히 설계되었습니다.

이동성이 높은 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) GaN 필름의 일반적인 성장 속도는 시간당 2 ~ 3 μm입니다.

MBE는 높은 정밀도로 잘 알려져 있지만 가격이 비싸고 초고진공이 필요합니다. 반면에 MOCVD는 압력 하에서 작동하는 보다 비용 효율적인 옵션입니다. 그러나 MOCVD는 MBE와 동일한 수준의 정밀도를 제공하지 못할 수 있다는 점에 유의해야 합니다. 궁극적으로 두 기술 간의 선택은 애플리케이션의 특정 요구 사항과 코팅층에 대한 원하는 제어 수준을 기반으로 해야 합니다.